8月21日消息，据半导体供应链的研究机构Edgewater Research最新发布的报告显示，英伟达（Nvidia）已与SK海力士和美光签署新的多年期HBM及DRAM存储器供应协议，以确保其AI芯片产品的长期供货安全。
英伟达已与SK海力士和美光签署多年期供应协议
英伟达CEO黄仁勋于2026年6月初访问韩国期间确认，三星电子、SK海力士和美光均已通过认证，将为英伟达下一代AI加速器平台Vera Rubin供应HBM4芯片。按照计划，Vera Rubin已于2026年6月正式量产，将在第三季度交付。黄仁勋当时公开呼吁SK海力士生产更多HBM芯片，并表示全球半导体供应仍然紧张。
Edgewater Research的报告指出，英伟达已与SK海力士和美光签署多年期HBM及DRAM存储器供应协议，并且这还是在其下调自身AI芯片的DRAM内存配置之后达成的——下一代Rubin系列AI芯片的DRAM用量可能低于最初预期。
此前的相关报道显示，为应对高带宽内存（HBM）供应吃紧的问题，英伟达正在测试Rubin Ultra的较低HBM容量的配置，其中就包括192GB与256GB，部分设计也从原先公布的HBM4E改为了HBM4。
根据TrendForce的研究，由于DRAM供不应求格局将延续至2027年，除了英伟达计划削减下一代Rubin系列AI芯片之外，部分云端服务供应商（CSP）也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。此外，英伟达也考量LPDDR5X短缺将持续至2027年，决定将次世代Vera Rubin Superchip模组所搭载的SOCAMM容量减半。
但即便如此，面对AI所带来的整体DRAM容量需求的持续增长，英伟达仍需通过长期协议，来保障未来的供应。这也足见英伟达对于未来数年DRAM市场仍将持续供不应求的判断。
行业趋势转向多年期协议，长约已覆盖至2030年
随着人工智能（AI）基础设施建设热潮持续，存储产业正迎来超级上行周期，并且行业普遍认为，存储器行业从周期性行业向长期紧缺的结构性转变。在此背景之下，与DRAM原厂签订多年期长期供应协议（LTA）在行业中正变得日益普遍。这不仅为DRAM制造商提供了一定的需求确定性，也使其更愿意投资于产能扩张。据悉，三星和SK海力士已停止签署一年期短期协议，转而签订三至五年的长期协议。
△德国DDR5内存零售价格走势：从去年7月到今年5月，整体价格涨幅高达414%。
根据三星、SK海力士和美光的最新财报和Digitimes统计报道显示，这三家DRAM巨头已通过长约锁定了面向众多客户直至2030年的DRAM供应，合计囤积了940亿美元的预付款以履行DRAM订单，以保护三大厂商的利益，直到客户的采购议价权回归。
其中，美光在此前的财报电话会议上宣布，已签署16份为期五年的战略客户协议，已收取约220亿美元的现金存款及相关承诺（实际收到了180亿美元现金），约占美光在此期间DRAM销量的20%和NAND销量的三分之一。美光管理层确认，即便按合约保底价格计算，其毛利率也将超越历史上任何一轮周期的峰值。
三星则在二季度的财报会议上宣布，已经与多客户签署了LTA协议（三星的LTA合约通常为期5年，同时设有年度延展的滚动式更新机制），并已收取了25%的预付款。针对标准型存储产品，其合约条款极为强势——季度价格跌幅上限为5%，但涨幅不设上限。三星存储战略营销负责人Kim Jae-jun指出，三星已与全球五大数据中心客户签署长期供应合约（LTA），并正与另外五家大型AI相关客户进行最后谈判。并且，由于长约需求已超过三星目前的供应能力，三星决定将高达60%至70%的长期产能用于履行LTA承诺。
SK海力士则在财报会议上宣布，已与约10家核心客户完成长期供应合约协商，并在部分合约中完全移除价格上限，将合约价与现货市场挂钩。不过具体的预付款金额并未透露。
Edgewater还指出，2027日历年的存储器价格不太可能在2026年底前最终确定。这意味着行业内可能还会有更多长期协议陆续签订。
DRAM原厂产能已售罄，短缺将持续至2030年？
据Digitimes今年8月初援引业界人士消息报道称，三星、美光、SK海力士三大DRAM原厂2027年全年DRAM与HBM产能已全数分配完毕；三星、美光、闪迪的NAND Flash产能也基本预售一空，铠侠与SK海力士预计最晚于2026年8月底前完成NAND Flash产能分配。
随后，模组大厂威刚董事长陈立白也证实，三大DRAM原厂2027年产能早已售罄，HBM与AI服务器相关应用将占据DRAM总产能约七成。
对于未来的市场预期，三星和美光均认为，DRAM短缺仍将持续至2028年，随着2027年底新建产能逐步释放，供需格局才可能出现实质性缓解。SK海力士的则更为激进地认为，DRAM短缺仍将持续至2030年。
在2025年10月的第三季财报会议上，三星电子存储业务执行副总裁金在俊在会议上表示，预计客户对明年的需求将超过其供应。同时他也提到，HBM4芯片明年的产量已全部售罄。
三星电子在2026年8月财报会议上再次预警：DRAM和NAND闪存短缺将在2027年进一步恶化，市场平衡最早要到2028年才能恢复。三星内存业务执行副总裁金在俊表示，“2028年之前新增供应量不太可能出现增长，供应限制将在2027年进一步加剧”。
SK海力士在2025年第三季度业绩发布电话会议上明确表示：“考虑到公司的产能，下一年不仅是HBM，就连DRAM和NAND实际上都可以视为全部售罄。”
SK海力士母公司——SK集团会长崔泰源在今年3月的英伟达GTC 2026大会上接受媒体采访时就曾预测，由于DRAM供应很难跟上需求增长的速度，全球DRAM芯片紧缺的情况可能还会持续至2030年。
崔泰源指出，AI需要GPU，而GPU需要大量的高带宽内存（HBM），生产HBM则需要使用大量的DRAM晶圆。因此，DRAM产业至少需要“四到五年”来增加晶圆产能才能满足需求。
随后在今年7月在韩国举行的“大韩商工会议所夏季论坛”上，崔泰源重申目前的短缺情况预计将持续到2030年，基础DRAM晶圆的短缺幅度将超过20%。他还指出，2027年市场对AI半导体的需求可能会暴增60%至100%，但主要供应商几乎没有足够的扩产计划。由于AI相关需求对整体市场的占比已过半，整体半导体需求预计至少将增长50%至60%。“明年没有任何一家公司能大幅增加供给，情况严峻到我甚至不知该不该用‘混乱’来形容。”
美光科技CEO桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在2026年6月的财报电话会议上表示，存储芯片短缺至少将持续至2028年，需求持续大幅超过行业供应，新产能最快2027年底才能出货，紧俏状态将延续至2027年之后。美光首席商务官Sumit Sadana也确认，HBM客户对2027年和2028年的需求远超美光供应能力，通用DRAM同样处于供不应求状态。
在今年8月在接受CNBC《Mad Money》节目采访时，桑杰·梅赫罗特拉进一步明确表示：“我们的客户认识到存储器的价值。目前数据中心客户的需求，约比美光能够承诺供应的量高出50%，即便美光全力生产，依旧无法满足这部分市场需求。我们所有终端市场的客户，都会买下我们生产的一切。”
知名投行高盛也判断，本轮存储周期与以往不同，AI/服务器需求拉动、HBM消耗产能导致供应受限、客户长期协议锁定产能这三大因素将支撑更长上行周期。该机构预计即便到2028年，DRAM/NAND/HBM仍将供不应求。
编辑：芯智讯-浪客剑股票配资电话
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